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工作原理
设备通过电子枪发射高能电子束，经电磁透镜聚焦后扫描样品表面。电子与样品相互作用产生二次电子（SE）、背散射电子（BSE）及特征X射线。SE信号反映表面形貌（分辨率达3nm），BSE信号揭示成分差异，X射线经能谱仪（EDS）分析可实现元素定性定量（检测范围B-U）。
应用范围
适用于金属材料断口分析、半导体芯片缺陷定位、陶瓷材料晶界观察、生物样本超微结构成像及地质矿物成分鉴定。典型场景包括：新材料研发中的形貌表征、产品质量失效分析、学术研究中的微观机制探索，助力用户深入解析样品结构与性能关系。
产品技术参数
分辨率：SE模式3nm（30kV），BSE模式4nm（30kV）
加速电压：0.5kV-30kV连续可调
放大倍数：10倍-100,000倍
样品室：φ120mm（直径）×50mm（高度），支持倾斜观察（0-90°）
EDS接口：标配硅漂移探测器（SDD），元素检测范围B-U
成像模式：SE/BSE/混合模式，支持实时图像拼接
真空系统：无油机械泵+涡轮分子泵，抽真空时间≤2分钟
电源：AC 220V±10%，50Hz，功率≤1500W
产品特点
高分辨率与低电压成像：3nm分辨率可清晰观察纳米级结构，低电压（0.5kV）模式减少样品充电效应，适配绝缘材料（如陶瓷、生物样本）。
快速抽真空与操作简便：2分钟内完成抽真空，触控屏界面支持一键式参数调节，无需专业培训即可上手。
多功能分析集成：标配EDS能谱仪，支持元素面分布与点分析，满足成分与形貌同步表征需求。
紧凑设计与低维护成本：台式结构占地面积小（0.6㎡），关键部件免维护设计，适合实验室与生产线快速部署。
智能图像处理：内置自动对焦、亮度调节及图像拼接功能，支持导出TIFF/JPEG格式，兼容第三方分析软件（如ImageJ）。
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湖北 - 武汉
2025年07月23日 ~ 26日
