权利要求
1.一种太阳电池，其特征在于，包括：
硅基底;
半导体层，所述半导体层设于所述硅基底的表面;
图形化的第一钝化层，所述第一钝化层设于所述半导体层背离所述硅基底一侧;
透明导电层，所述透明导电层的材料为透明导电化合物，所述透明导电层包括第一透明导电子层和第二透明导电子层，所述第一透明导电子层设于所述半导体层背离所述硅基底的表面，且所述第一透明导电子层填充于所述第一钝化层的图形化区域未覆盖的镂空区域中，所述第二透明导电子层覆盖所述第一透明导电子层和所述第一钝化层背离所述硅基底的表面，所述第二透明导电子层的宽度为150μm～400μm;
铜栅线，所述铜栅线设于所述透明导电层背离所述半导体层的一面，所述铜栅线的宽度为5μm～100μm。
2.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述铜栅线的宽度为5μm～20μm。
3.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述透明导电层的透光率大于等于85%，方阻为50Ω/□～200Ω/□;和/或，所述透明导电化合物为掺锡氧化铟、掺钛氧化铟、掺锌氧化铟、氧化锌铝、掺铝氧化铌、铝酸镧和掺氟氧化锡中的一种或多种组合。
4.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述第二透明导电子层的厚度为50nm～200nm。
5.根据权利要求1-4任一项所述的太阳电池，其特征在于，所述太阳电池为钝化接触太阳电池，所述半导体层包括设置于所述硅基底第一面的P型半导体层和设置于所述硅基底第二面的N型半导体层，所述第一面和所述第二面中的其中一面为受光面，另一面为背光面;
所述硅基底与所述P型半导体层之间设置有第一介质层，所述硅基底与所述N型半导体层之间设置有第二介质层，所述第一介质层和所述第二介质层的厚度为0.8nm～2.5nm;
所述第一钝化层、所述透明导电层同时设置于所述P型半导体层和所述N型半导体层背离所述硅基底一侧，所述第二透明导电子层全部或部分覆盖所述第一透明导电子层和所述第一钝化层背离所述硅基底的表面。
6.根据权利要求1-4任一项所述的太阳电池，其特征在于，所述太阳电池为背接触太阳电池，所述半导体层包括呈指交叉设置的P型半导体层和N型半导体层，所述P型半导
声明：
“太阳电池及光伏组件” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：B—sports必一网
来源：通威太阳能（成都）有限公司
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2025年07月09日 ~ 11日 
