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工作原理
RE2300基于X射线穿透与衰减原理实现无损检测：
X射线发射：设备搭载微焦点X射线管，发射高能量、高分辨率的X射线束，穿透被测电子元器件。
图像采集：射线穿透物体后，由数字平板探测器接收衰减信号，转换为数字图像。
智能分析：内置AI算法对图像进行增强、滤波与缺陷识别，自动标记气孔、裂纹、虚焊等缺陷位置与尺寸。
三维成像：支持CT扫描重建功能，通过高精度旋转平台生成器件内部三维立体图像，实现缺陷精准定位。
应用范围
半导体制造：检测晶圆通孔、封装器件内部结构及焊接缺陷，确保芯片可靠性。
电子元器件：分析BGA焊球、QFN封装等工艺缺陷，验证2.5D/3D封装互连结构完整性。
电池检测：识别锂电池极片内部裂纹、夹杂物，优化电池安全性能。
精密制造：监测PCB板虚焊、SMT贴片气泡及连接器缺陷，提升产品合格率。
科研教学：高校及研究所用于材料内部结构分析与失效研究，支持教学实验与研发测试。
产品技术参数
X射线源：电压80-160kV可调，功率15W，微焦点尺寸5μm，穿透铝材70-100mm。
成像系统：数字平板探测器，分辨率2048×2048，像素尺寸125μm，帧率30FPS，支持40Lp/cm空间分辨率。
检测能力：最小可识别缺陷0.5μm，支持2D/3D成像及CT扫描重建。
载物平台：XYZ三轴电动控制，Z轴行程450mm，支持多角度动态拍摄与十字光标精准定位。
安全防护：辐射泄漏剂量<1μSv/h，配备铅玻璃、联锁装置与剂量监控，符合CE/FDA标准。
设备尺寸：800×700×1700mm?，重量1000kg，电源要求AC220V±10%，50/60Hz，功耗≤3kW。
产品特点
高精度成像：5μm焦点尺寸，清晰显示微米级缺陷，满足半导体行业严苛标准。
智能分析系统：内置AI算法自动识别21类缺陷，误判率<1%，支持气孔占比测算与图像拼接。
自动化操作：XYZ三轴协同，Z轴物理放大倍率可调，操作台支持坐/站立多角度调节。
安全防护设计：五重辐射防护机制，通过国际安全认证，确保操作人员健康。
模块化扩展性：光源与探测器可快速更换，支持MES系统对接与AOI自动分拣模块扩展。
多功能成像模式：支持多能量融合拍摄、大面积产品图片拼接及三维断层扫描（CT重建）。
高效检测效率：300mm晶圆检测周期≤3分钟/片，适合大规模生产线集成。
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青海 - 西宁
2025年07月09日 ~ 11日
